Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

HAT3015R - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: HAT3015R

Technologia: MOSFET

Rodzaj: NP

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.5

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora HAT3015R (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.6

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOP8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: HAT3015T , HAT3019R , HAT3021R , HAT3036R , HAT3037R , HITJ0204MP , RJK0226DNS , RJK0303DPB , RJK0351DSP , RJK0355DSP , RJK03C5DPA , RJK03E3DNS , RJK03E5DPA , RJK03E9DPA , RJK0629DPK , RJK0653DPB , RJK1055DPB ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved