Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

HAT1065R - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: HAT1065R

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 15

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.25

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora HAT1065R (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 9

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 37

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 6.2

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOP8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: HAT1065T , HAT1072H , HAT1089C , HAT1094C , HAT1095C , HAT1126R , HAT2105R , HAT2119H , HAT2167H , HAT2170H , HAT2196C , HAT2198WP , HAT2199WP , HAT2201WP , HAT2218R , HAT2240C , HAT3018R ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved