Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

H7N1004FM - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: H7N1004FM

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 25

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 25

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora H7N1004FM (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.025

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220FM

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: H7N1004LD , H7N1004LS , H7N1005DL , H7N1005LM , H7N1005LS , HAT1016R , HAT1123R , HAT2019R , HAT2092R , HAT2105T , HAT2166N , HAT2168N , HAT2169N , HAT2171N , HAT2188WP , HAT2193WP , HAT2217C ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved