Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

H7N0310LM - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: H7N0310LM

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 50

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 30

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora H7N0310LM (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.008

WYTWÓRCA:

CIAŁO: LDPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: H7N0310LS , H7N0311LM , H7N0311LS , H7N0312LS , H7N0401LD , H7N0603DL , H8N0801AB , HAT1025R , HAT1097R , HAT1126R , HAT2089WP , HAT2099H , HAT2105R , HAT2116H , HAT2160H , HAT2165H , HAT2187WP ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved