Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

H5N2519P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: H5N2519P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 150

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 250

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 65

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora H5N2519P (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.029

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO3P

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: H5N2522LS , H5N2802PF , H5N2803PF , H5N3005LS , H5N3008P , H5N5012P , H7N0602LS , H7N0608LD , H7P0601DL , HAT1016R , HAT1096C , HAT1110R , HAT1123R , HAT1147C , HAT2080R , HAT2087R , HAT2153RJ ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved