Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BUK9880-55 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BUK9880-55

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.8

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 55

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BUK9880-55 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.08

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT223

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BUP60 , BUP62 , BUP63 , BUP67 , BUP68 , BUZ11FI , BUZ71A , BUZ76 , BUZ902P , BUZ905D , C2T212 , DM601 , ECG221 , F5016H , F5032 , FA57SA50LC , FDC6308P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved