Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2SK2926S - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2SK2926S

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 25

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 15

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SK2926S (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.042

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2SK2938L , 2SK2939L , 2SK2939S , 2SK3070L , 2SK3070S , 2SK3147L , H5N2305PF , H5N2507P , H5N5001FM , H5N5012P , H7N0401LM , H7N0602LD , H7N0602LS , H7N0608AB , H7N1004LS , H7N1005LD , HAT1069C ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved