Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2SK1152S - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2SK1152S

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 20

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 1.5

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SK1152S (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 4

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2SK1155 , 2SK1158 , 2SK1160 , 2SK1170 , 2SK1254L , 2SK1303 , 2SK1527 , 2SK1629 , 2SK2225 , 2SK2553S , 2SK3082L , 2SK3135L , 2SK3141-01 , 2SK3150S , 2SK4093 , H5N1506P , H5N2801P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved