Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2SJ319S - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2SJ319S

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 20

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SJ319S (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.7

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2SJ350 , 2SJ387S , 2SJ479L , 2SJ506L , 2SJ506S , 2SJ530S , 2SK1302 , 2SK1313L , 2SK1515 , 2SK1528L , 2SK2202 , 2SK2393 , 2SK2553L , 2SK2735L , 2SK2939L , 2SK2958STL , 2SK3736 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved