Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

TPCS8105 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: TPCS8105

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.1

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 10

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora TPCS8105 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 18

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 590

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0135

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TSSOP8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: TPCS8204 , TPCS8208 , TPCS8209 , TPCS8213 , TPCS8214 , 2SJ167 , 2SK210 , 2SK3376MFV , 2SK4059CT , 2SK880 , 2SJ527L , 2SJ529L , 2SJ530L , 2SJ550L , 2SK1158 , 2SK1168 , 2SK1335L ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved