Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

TPCF8102 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: TPCF8102

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 8

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 6

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora TPCF8102 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 7

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 265

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.03

WYTWÓRCA:

CIAŁO: VS8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: TPCF8103 , TPCF8302 , TPCF8303 , TPCM8001-H , TPCM8002-H , TPCP8201 , 2SJ148 , SSM3J15TE , 2SK170 , 2SK211 , 2SK3857TV , 2SK4059TV , 2SK879 , 2SJ181L , 2SJ387S , 2SJ505S , 2SK1156 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved