Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BUK7830-30 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BUK7830-30

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.8

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3.2

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BUK7830-30 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.03

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT223

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BUK7840-55 , BUK9120-48TC , BUK9506-30 , BUK9514-55 , BUK9518-30 , BUK9610-30 , BUZ11A , BUZ25 , BUZ60 , BUZ71AFI , BUZ902DP , BUZ903DP , BUZ905 , BUZ905X4S , BUZ90A , C2T205 , F5031 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved