Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

TPC8118 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: TPC8118

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.9

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 13

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora TPC8118 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 9

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 860

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.007

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOP8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: TPC8119 , TPC8122 , TPC8203 , TPC8209 , TPC8210 , TPC8302 , TPCA8054-H , TPCA8121 , TPCM8004-H , TPCP8201 , TPCS8302 , TPCT4203 , 2SJ148 , 2SK1825 , SSM3K7002AF , 2SJ106 , 2SK366 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved