Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

TPC8021-H - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: TPC8021-H

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.9

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 11

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora TPC8021-H (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 4

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 300

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.017

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOP8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: TPC8022-H , TPC8025 , TPC8026 , TPC8033-H , TPC8034-H , TPC8060-H , TPC8301 , TPC8406-H , TPCA8030-H , TPCA8060-H , TPCM8003-H , TPCM8A05-H , TPCP8002 , TPCP8302 , TPCS8208 , TPCS8212 , SSM3K311T ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved