Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

TK75J04K3Z - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: TK75J04K3Z

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 150

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 75

Ograniczenie temperatury (Tj): 175

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora TK75J04K3Z (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 35

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 2060

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.003

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO3P

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: TK80D08K3 , TK9A20DA , TPC6001 , TPC6006-H , TPC6007-H , TPC6201 , TPC8054-H , TPC8109 , TPC8212-H , TPC8302 , TPCA8028-H , TPCA8039-H , TPCA8054-H , TPCA8103 , TPCF8302 , TPCL4203 , TPCS8205 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved