Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2SK3397 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2SK3397

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 125

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 70

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SK3397 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.006

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TFP

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2SK3398 , 2SK3403 , 2SK3407 , 2SK3440 , 2SK3441 , 2SK3506 , 2SK4018 , 2SK4104 , TK16H60C , TK20D60U , TPC6101 , TPC6106 , TPC6108 , TPC8004 , TPC8025 , TPC8032-H , TPC8121 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved