Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2SJ315 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2SJ315

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 20

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SJ315 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.25

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SC64

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2SJ334 , 2SJ349 , 2SJ377 , 2SJ402 , 2SJ407 , 2SJ509 , 2SK2312 , 2SK2382 , 2SK2603 , 2SK2614 , 2SK2843 , 2SK2866 , 2SK2883 , 2SK2914 , 2SK2996 , 2SK3084 , 2SK3399 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved