Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

TPCF8402 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: TPCF8402

Technologia: MOSFET

Rodzaj: NP

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.35

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3.2

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora TPCF8402 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.072

WYTWÓRCA:

CIAŁO: VS8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: TPCF8B01 , TPCP8004 , TPCP8005-H , TPCP8101 , TPCP8102 , TPCP8303 , 2SJ508 , 2SJ619 , 2SK2232 , 2SK2313 , 2SK2599 , 2SK2608 , 2SK2611 , 2SK2679 , 2SK2789 , 2SK2839 , 2SK2995 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved