Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

TPCC8007 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: TPCC8007

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 30

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 27

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora TPCC8007 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0046

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TSON_Advance

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: TPCC8008 , TPCC8061-H , TPCC8062-H , TPCC8067-H , TPCC8068-H , TPCC8105 , TPCP8206 , TPCP8405 , 2SJ438 , 2SJ509 , 2SK2231 , 2SK2267 , 2SK2312 , 2SK2376 , 2SK2508 , 2SK2545 , 2SK2782 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved