Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

TPC8129 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: TPC8129

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.9

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 9

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora TPC8129 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.022

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOP8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: TPC8132 , TPC8134 , TPC8221-H , TPC8408 , TPC8A03-H , TPCA8024 , TPCA8104 , TPCA8128 , TPCC8074 , TPCC8105 , TPCP8103-H , TPCP8204 , TPCP8206 , TPCP8401 , 2SJ349 , 2SJ401 , 2SK1544 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved