Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

TPC8057-H - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: TPC8057-H

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.9

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 18

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora TPC8057-H (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0028

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOP8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: TPC8058-H , TPC8061-H , TPC8062-H , TPC8066-H , TPC8067-H , TPC8082 , TPCA8011-H , TPCA8046-H , TPCA8080 , TPCA8105 , TPCC8073 , TPCC8093 , TPCC8104 , TPCF8002 , TPCP8004 , TPCP8008-H , 2SJ338 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved