Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

TK8S06K3L - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: TK8S06K3L

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 25

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 8

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora TK8S06K3L (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.054

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: TK9A45D , TK9A60D , TPC6008-H , TPC6012 , TPC6103 , TPC8029 , TPC8081 , TPC8088 , TPC8A05-H , TPCA8024 , TPCA8078 , TPCA8087 , TPCA8104 , TPCA8109 , TPCC8061-H , TPCC8066-H , TPCP8003-H ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved