Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

TK6A55DA - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: TK6A55DA

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 35

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 550

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5.5

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora TK6A55DA (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.48

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220SIS

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: TK6A60D , TK6P53D , TK70A06J1 , TK70X06K3 , TK75A06K3 , TK80F08K3 , TPC8028 , TPC8047-H , TPC8074 , TPC8082 , TPC8A04-H , TPCA8008-H , TPCA8011-H , TPCA8042 , TPCA8059-H , TPCA8065-H , TPCC8009 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved