Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

TK4A60D - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: TK4A60D

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 35

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora TK4A60D (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.7

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220SIS

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: TK4A65DA , TK4P55DA , TK4P55D , TK50J60U , TK50P03M1 , TK5A60D , TK80E06K3A , TK8A25DA , TPC6110 , TPC8029 , TPC8073 , TPC8078 , TPC8081 , TPC8086 , TPC8134 , TPC8407 , TPCA8058-H ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved