Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

TK2A65D - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: TK2A65D

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 30

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 650

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 2

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora TK2A65D (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 3.26

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220SIS

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: TK2P60D , TK30A06J3A , TK30A06J3 , TK3A60DA , TK3A65DA , TK40J60T , TK5A55D , TK60A08J1 , TK7A50D , TK80F08K3 , TPC6109-H , TPC6130 , TPC8028 , TPC8045-H , TPC8061-H , TPC8065-H , TPC8133 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved