Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BUK438W-800B - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BUK438W-800B

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 220

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 800

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BUK438W-800B (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 2

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT429

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BUK444-800A , BUK445-200A , BUK446-1000B , BUK453-100A , BUK454-800A , BUK456-800A , BUK7528-55 , BUK7614-30 , BUK9520-55 , BUK9610-30 , BUP69 , BUZ10A , BUZ11A , BUZ23 , BUZ50A-220TM , BUZ50B-220M , BUZ900X4S ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved