Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

TK11A60D - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: TK11A60D

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 45

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 11

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora TK11A60D (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.65

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220SIS

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: TK11A65D , TK12A45D , TK12A50D , TK12A60U , TK12A65D , TK13A45D , TK19A45D , TK20E60U , TK3P50D , TK40J60T , TK50P04M1 , TK5A50D , TK5A55D , TK5P50D , TK6P53D , TK70X04K3 , TK9A55DA ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved