Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SSM6N29TU - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SSM6N29TU

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 12

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.8

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SSM6N29TU (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.143

WYTWÓRCA:

CIAŁO: UF6

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SSM6N35FE , SSM6N36FE , SSM6N36TU , SSM6N39TU , SSM6N40TU , SSM6N7002FU , TJ60S04M3L , TK100F06K3 , TK12J55D , TK13A45D , TK16J55D , TK18A50D , TK19A45D , TK20A25D , TK30A06J3A , TK35S04K3L , TK4P50D ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved