Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SSM6J25FE - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SSM6J25FE

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 12

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.5

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SSM6J25FE (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.26

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT563_ES6

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SSM6J26FE , SSM6J402TU , SSM6J409TU , SSM6J502NU , SSM6J503NU , SSM6K202FE , SSM6L36TU , SSM6N15AFE , SSM6N43FU , SSM6N7002FU , TJ15S06M3L , TJ40S04M3L , TJ60S04M3L , TJ8S06M3L , TK12A45D , TK12A60D , TK15A60D ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved