Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SSM3J13T - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SSM3J13T

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.25

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 12

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 8

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SSM3J13T (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.07

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TSM

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SSM3J14T , SSM3J15FS , SSM3J15FU , SSM3J16FS , SSM3J16FU , SSM3J314T , SSM3K116TU , SSM3K126TU , SSM3K301T , SSM3K316T , SSM4K27CT , SSM5N16FE , SSM5P05FU , SSM6J06FU , SSM6J402TU , SSM6J501NU , SSM6K406TU ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved