Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BUK106-50L - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BUK106-50L

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 125

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 50

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 25

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BUK106-50L (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.028

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT263

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BUK106-50LP , BUK106-50SP , BUK108-50GS , BUK110-50DL , BUK110-50GL , BUK200-50X , BUK456-200B , BUK465-200A , BUK7510-30 , BUK7535-55 , BUK9518-55 , BUK9535-55 , BUK9608-55 , BUK9618-30 , BUP62 , BUP66 , BUZ50A-220SM ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved