Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

HN1K02FU - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: HN1K02FU

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 10

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.05

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora HN1K02FU (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 40

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT363_SC88_US6

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: HN1K03FU , HN1K05FU , HN1K06FU , SSM3J01F , SSM3J01T , SSM3J111TU , SSM3J313T , SSM3J327F , SSM3K102TU , SSM3K119TU , SSM3K17FU , SSM3K309T , SSM3K315T , SSM3K329R , SSM3K48FU , SSM3K7002BF , SSM6J401TU ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved