Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2SJ345 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2SJ345

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 7

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.05

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SJ345 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 40

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT346_SC59_SMini

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2SJ346 , 2SJ360 , 2SJ465 , 2SJ610 , 2SJ668 , 2SK1827 , 2SK2992 , 2SK3373 , 2SK3767 , 2SK3878 , SSM3J02F , SSM3J108TU , SSM3J110TU , SSM3J114TU , SSM3J15FS , SSM3J16CT , SSM3J46CTB ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved