Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRF7304Q - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRF7304Q

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 12

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4.3

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRF7304Q (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.09

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SO8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRF7756G , IRF7329 , IRF7316Q , IRF9358 , IRF5810 , IRF7104 , AUIRF7319Q , AUIRF7379Q , 2SJ681 , 2SK1827 , 2SK2953 , 2SK2968 , 2SK2992 , 2SK3301 , 2SK3633 , 2SK3742 , HN1K04FU ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved