Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRF7303Q - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRF7303Q

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4.9

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRF7303Q (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.05

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SO8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRFH7911 , IRF6723M2D , IRFI4019H-117P , IRF7103 , IRLHS6276 , IRF7902 , IRF5850 , IRF7504 , IRF7507 , AUIRF7316Q , 2SJ680 , 2SK1365 , 2SK1826 , 2SK1830 , 2SK2719 , 2SK2847 , 2SK3566 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved