Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRFHM9331 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRFHM9331

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.8

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 25

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 24

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRFHM9331 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0146

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PQFN3X3

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRFHS9301 , IRFTS9342 , IRLHS2242 , IRLML5203 , IRLML9301 , IRFHM792 , IRLHS6376 , IRF8910G , IRF9362 , IRF7104 , IRF7309Q , IRF7379 , AUIRF7319Q , AUIRF7103Q , 2SJ360 , 2SJ567 , 2SK2699 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved