Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRF7326D2 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRF7326D2

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3.6

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRF7326D2 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.1

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SO8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRF7342D2 , IRF7410 , IRF7416Q , IRF7700G , IRF7701G , IRF7706 , IRF7501 , IRF7301 , IRF7341Q , IRF7902 , IRF7750 , IRF7342 , IRF5850 , IRF9395M , IRF7343I , IRF7319 , 2SJ347 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved