Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRFH8325 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRFH8325

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 3.6

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 21

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRFH8325 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.005

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PQFN5X6

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRFH8330 , IRFH8337 , IRFHM830 , IRFHS8342 , IRFI4110G , IRFL014N , IRFP4568 , IRFPS3815 , IRFR3607 , IRFR3709ZC , IRFS3306 , IRFS3507 , IRFS3806 , IRFS4115 , IRFS52N15D , IRFSL23N20D , IRFSL5620 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved