Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRFH5020 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRFH5020

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 3.6

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5.1

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRFH5020 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.055

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PQFN5X6

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRFH5025 , IRFH5104 , IRFH5106 , IRFH5207 , IRFH5210 , IRFH5302 , IRFIZ48V , IRFP150M , IRFP4321 , IRFP4668 , IRFR3518 , IRFR3707ZC , IRFR3709Z , IRFR3711ZC , IRFS3006-7P , IRFS3206 , IRFS4620 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved