Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRFB42N20D - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRFB42N20D

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 42.6

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRFB42N20D (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.055

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220AB

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRFB4310 , IRFB4310Z , IRFB4310ZG , IRFB4410 , IRFB4410Z , IRFB5620 , IRFH5301 , IRFH5406 , IRFI4229 , IRFL014N , IRFP4310Z , IRFP4410Z , IRFP4568 , IRFP90N20D , IRFR24N15D , IRFR3411 , IRFS3006 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved