Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BF965 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BF965

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 8.5

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.03

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BF965 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 1

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 200

WYTWÓRCA:

CIAŁO: MACROX

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BF966 , BF980 , BF980A , BF989 , BF989S , BF994S , BFC47 , BFC61 , BSR56 , BSS123A , BUK110-50GS , BUK114-50S , BUK116-50S , BUK204-50Y , BUK445-200A , BUK452-100A , BUK555-100A ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved