Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRFB31N20D - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRFB31N20D

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 200

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 31

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRFB31N20D (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.082

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220AB

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRFB3206 , IRFB3207 , IRFB3207Z , IRFB3306G , IRFB3307 , IRFB38N20D , IRFB5615 , IRFBA1405P , IRFH5220 , IRFH5302 , IRFI4227 , IRFI4410ZG , IRFIZ48V , IRFML8244 , IRFP3703 , IRFP4229 , IRFR2407 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved