Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRF7855 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRF7855

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 12

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRF7855 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 13

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0094

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SO8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRF7862 , IRF8010L , IRF8010S , IRF8302M , IRF8304M , IRF8721 , IRFB3806 , IRFB4110Q , IRFB4610 , IRFB5620 , IRFH5215 , IRFH5255 , IRFH5301 , IRFH5304 , IRFH8337 , IRFHS8242 , IRFP3415 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved