Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRF7495 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRF7495

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 7.3

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRF7495 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.022

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SO8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRF7607 , IRF7739 , IRF7749L2 , IRF7799L2 , IRF7805A , IRF7807VD1 , IRF8714G , IRFB23N15D , IRFB3307ZG , IRFB38N20D , IRFB4410ZG , IRFB4710 , IRFB5615 , IRFB812 , IRFH5104 , IRFH5206 , IRFH8334 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved