Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRF6810S - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRF6810S

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 20

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 25

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 16

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 50

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRF6810S (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0052

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DIRECTFET

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRF6811S , IRF6898M , IRF7353D2 , IRF7450 , IRF7451 , IRF7465 , IRF7807V , IRF7815 , IRF8308M , IRF8721 , IRFB3307Z , IRFB3607 , IRFB3806 , IRFB4110 , IRFB4310Z , IRFB4332 , IRFH5053 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved