Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRF6674 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRF6674

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 89

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 67

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRF6674 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.011

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DIRECTFET

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRF6678 , IRF6706S2 , IRF6708S2 , IRF6712S , IRF6713S , IRF6722M , IRF7463 , IRF7475 , IRF7805Z , IRF7807VD1 , IRF8306M , IRF8707G , IRF8714G , IRF8736 , IRFB3207 , IRFB3306 , IRFB4310G ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved