Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRF6612 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRF6612

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.8

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 24

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRF6612 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0033

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DIRECTFET

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRF6613 , IRF6616 , IRF6617 , IRF6621 , IRF6622 , IRF6635 , IRF6721S , IRF6727M , IRF7452Q , IRF7465 , IRF7805Q , IRF7807D1 , IRF7807V , IRF7809AV , IRF8010L , IRF8252 , IRFB3206G ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved