Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SPW47N60CFD - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SPW47N60CFD

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 417

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 46

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SPW47N60CFD (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.083

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SPW47N65C3 , IRF1010EZ , IRF1010EZL , IRF1010ZS , IRF1018E , IRF1324S-7P , IRF2805L , IRF2903ZL , IRF3707Z , IRF3708S , IRF4104G , IRF540ZS , IRF5802 , IRF630NS , IRF6616 , IRF6620 , IRF6691 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved