Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BF545C - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BF545C

Technologia: FET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.25

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.025

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BF545C (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 0.8

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 100

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT23

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BF556A , BF556C , BF805 , BF862 , BF900 , BF908 , BF994 , BF996SR , BFC42 , BFC48 , BSP92 , BSS100 , BSS123 , BUK100-50DL , BUK106-50SP , BUK109-50GS , BUK444-800B ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved