Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SPS03N60C3 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SPS03N60C3

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 38

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3.2

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SPS03N60C3 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.4

WYTWÓRCA:

CIAŁO: IPAK-SL_TO251-SL

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SPS04N60C3 , SPU02N60C3 , SPU02N60S5 , SPU04N60S5 , SPU07N60C3 , SPW15N60C3 , IRF1324S , IRF1404ZL , IRF2804 , IRF2805S , IRF3704ZS , IRF3707ZL , IRF3708 , IRF3709S , IRF3805 , IRF3808 , IRF6614 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved